Oxydes pour les Dispositifs Nanoioniques

L'axe Oxydes pour les Dispositifs Nanoioniques est focalisé sur la conception et l'optimisation d'hétérostructures d'oxydes pour des applications dans le domaine nanoionique. En particulier, nous étudions les oxydes conducteurs ioniques ou conducteurs mixtes électronique et ionique (MIEC) pour leur utilisation dans plusieurs applications de microélectronique, telles que les micro-piles à combustible à oxydes solides et les électrolyseurs (µ-SOCs), les mémoires à changement d'état de valence (VCMs) et les systèmes à architecture neuromorphique. Nous sommes spécialisés dans le dépôt d'oxydes et d'hétérostructures d'oxydes en couches de structure pérovskite ou fluorite par dépôt chimique en phase vapeur d'organométalliques par injection pulsée (PI-MOCVD) et par dépôt de couches atomiques (ALD). Notre principal objectif est de comprendre la relation entre les propriétés structurales, physico-chimiques et fonctionnelles de couches simples et de dispositifs d'ingénierie. De plus, nous proposons des voies innovantes pour adapter la microstructure, le transport ionique, ainsi que les propriétés électrochimiques et de commutation résistive des matériaux afin d'améliorer la performance des dispositifs nanoioniques. Les caractérisations sont réalisées grâce à la combinaison d'un grand nombre de techniques de caractérisation chimique, électrochimique et structurale de laboratoire et de mesures in situ et operando utilisant les grands instruments tels que le rayonnement synchrotron.

[4] K. Maas et al. Advanced Functional Materials 30, 1909942 (2020). Article in the ESRF Highlights 2020 annual booklet
Tuning Memristivity by Varying the Oxygen Content in a Mixed Ionic-Electronic Conductor

[3] K. Maas et al. Journal of Materials Chemistry C 8, 464 (2020). Back cover
Using a Mixed Ionic Electronic Conductor to Build an Analog Memristive Device with Neuromorphic Programming Capabilities

[2] B. Meunier et al. ACS Applied Electronic Materials 1, 675 (2019)
Microscopic Mechanisms of Local Interfacial Resistive Switching in LaMnO_3+δ

[1] R. Rodriguez-Lamas et al. Beilstein Journal of Nanotechnology 10, 389 (2019)
Integration of LaMnO_3+δ Films on Platinized Silicon Substrates for Resistive Switching Applications by PI-MOCVD