Oxydes Semiconducteurs à Large & Ultra-Large Bande Interdite

L’Axe Oxydes Semiconducteurs à Large & Ultra-Large Bande Interdite vise à développer et explorer la synthèse chimique de i) nanofils de ZnO suivant une croissance spontanée ou localisée par dépôt en bain chimique (CBD) et de ii) couches minces épitaxiales de Ga2O3 par dépôt par couche atomique (ALD) et par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques et à injection liquide pulsée (PLI-MOCVD). Nous nous intéressons particulièrement à l'élucidation et au contrôle des mécanismes de nucléation et de croissance, ainsi qu’aux propriétés liées à l’épitaxie et aux interfaces et aux surfaces. Nous cherchons également à déterminer et maîtriser les propriétés morphologiques, structurales et chimiques de ces objets, tels que leur dopage intrinsèque/extrinsèque, leur polarité, la nature des défauts présents, ainsi que les effets liés à leur surface. Des techniques de caractérisation avancée en laboratoire (MET, MEB/EDS, DRX, spectroscopie Raman, XPS) et en synchrotron (SAX, DRX) sont régulièrement utilisées afin d’approfondir la compréhension de la relation structure-propriétés. Des hétérostructures semiconductrices sont par ailleurs développées principalement pour des applications dans les domaines de la piézoélectricité, de la photo-détection UV et de l’électronique de puissance. Enfin, nous nous intéressons particulièrement aux enjeux multifactoriels soulevés par la criticité des matières premières employées, ainsi qu’à l’impact environnemental de nos techniques de dépôt chimique dans le cadre de la chimie verte.