Nanofils & Nanostructures Semiconducteurs

L’axe Nanofils & Nanostructures Semiconducteurs vise à développer et explorer la synthèse chimique des nanofils/nanostructures de ZnO suivant une croissance spontanée par dépôt en bain chimique (CBD) et dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD). Ces procédés de synthèse  peuvent être couplés à des procédés technologiques en salle blanche (i.e. lithographie, gravure, ...) dans le cadre d'une croissance localisée de ces objets. Nous nous intéressons particulièrement à l'élucidation et au contrôle des mécanismes de nucléation et de croissance des nanofils/nanostructures en couplant une approche expérimentale à une approche fondamentale basée sur des simulations thermodynamiques. Nous cherchons également à déterminer et maîtriser les propriétés de base de ces objets, tels que leur dopage intrinsèque/extrinsèque (i.e. H, Al, Ga, Cu, ...), leur polarité (O ou Zn) ainsi que les effets liés à leur surface. Des hétérostructures semiconductrices à base de nanofils de ZnO seuls ou combinés à des semiconducteurs à bande interdite directe (TiO₂, Sb₂S₃, Ga₂O₃…) sont développés principalement pour des applications dans les domaines de la piézoélectricité, de l’optoélectronique (i.e. photo-détecteurs UV autoalimentés, diodes électroluminescentes) et du photovoltaïque (i.e. cellules solaires à absorbeurs ultra-minces).