Matériaux transparents conducteurs

TCO type n : Dans cet axe, nous nous concentrons sur le dépôt de TCO de type n sans indium à l'aide des techniques MOCVD et (S)ALD. Plus précisément, nous avons développé ces dernières années de nouveaux procédés SALD pour le dépôt de TCO de type n à base d'oxyde d'étain (SnOx) et de TCO de type n à base d'oxyde de zinc (à la fois ZnO intrinsèque avec optimisation post-dépôt et ZnO dopé). Nous optimisons actuellement ces matériaux à l'aide de nouveaux précurseurs et procédés visant un traitement à basse température (< 300 °C) et des taux de dépôt élevés (compatibles avec la production photovoltaïque). Enfin, nous explorons également la combinaison de nos TCO de type n avec des AgNW afin de développer des composites aux performances supérieures. En ce qui concerne la MOCVD, les développements actuels se concentrent sur le contrôle des conditions de dépôt pour les films minces de phases pérovskites en tant que conducteurs de Mott (SrVO₃, SrNbO₃)
 

TCO type p : Ce domaine de recherche se concentre sur le développement de nouveaux procédés de dépôt et l'optimisation des propriétés des TCO de type p bien connus tels que le NiO et le Cu₂O, principalement par SALD, ainsi que sur la recherche visant à optimiser, par MOCVD, des phases alternatives telles que les phases Delafossite (CuCrO₂ non stœchiométrique) ou par des approches nanocomposites combinant des films minces et des réseaux de nanofils pour des applications transparentes et flexibles. Afin d'améliorer les différentes propriétés des films TCO de type p, notre approche repose sur l'optimisation des conditions de dépôt en contrôlant les microstructures, les compositions et le dopage, pour aboutir finalement à l'intégration dans des dispositifs (jonctions pn transparentes, capteurs, couche de transport de trous dans les cellules solaires, etc.).