Les dichalcogénures semi-conducteurs de métaux de transition tels que MoS₂ et WS₂ sont des candidats particulièrement intéressants pour le More-than-Moore, c’est-à-dire la diversification fonctionnelle des composants électroniques (capteurs chimiques, photo-détecteurs, mémoires, dispositifs RF , etc.), en raison de leur propriétés optoélectroniques extrêmement anisotropes et facilement modulables. Cependant, leur fabrication nécessite des températures très élevées (> 850 °C), qui ne permettent pas leur mise en œuvre directe sur des circuits intégrés à base de silicium (supportant au mieux 450-500 °C). Dans cette thèse, deux approches ont été proposées afin d’obtenir des sulfures lamellaires semi-conducteurs (WS₂, SnS₂ et SnS) à basse température, toutes deux basées sur un procédé de sulfuration de métal ou d’oxyde de métal. La première approche a consisté à utiliser le nickel en tant que promoteur de cristallisation pour la synthèse de couches ultra-minces de WS₂, via la sulfuration d’une bicouche Ni/W par un composé organo-soufré : le 1,2-éthanedithiol. Cette approche a permis d’obtenir des couches très cristallines de WS₂ orientées (001) à une température de seulement 650 °C, alors qu’en l’absence de nickel des températures supérieures à 850°C auraient été nécessaires pour obtenir une cristallinité équivalente. La seconde approche a consisté à réaliser la synthèse de SnS₂, un disulfure de métal pauvre possédant de grandes similarités structurales et physico-chimiques avec MoS₂ et WS₂, mais cristallisant à beaucoup plus basse température. En partant de couches ultra-minces de SnO₂ déposées par ALD, des couches de SnS₂ et SnS très bien cristallisées et orientées (001) ont pu être formées de manière sélective à seulement 350 °C, grâce à un procédé de sulfuration faisant intervenir le disulfure de t-butyle (pour SnS₂) ou le t-butylthiol (pour SnS). Ces deux approches sont appuyées par des caractérisations physicochimiques approfondies, ainsi que des hypothèses concernant les mécanismes de conversion.