May 11th 2015, Thesis defense Kanaparin Ariyawong : Process modeling for the growth of SiC srystal using PVT and TSSG methods
Published on April 6, 2015
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Conference
May 11, 2015
Monday at 1:30 am - Amphi M01 Grenoble INP - Phelma Minatec, Ground floor
Grenoble INP - Phelma
3 parvis Louis Néel - 38000 Grenoble
Accès : TRAM B arrêt Cité internationale
Free entrance - No registration
Keywords : Silicon carbide, modeling, crystal growth, PVT, TSSG
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Date of update April 8, 2015