Soutenance de Thèse de Kanaparin Ariyawong : 11 mai 2015 -Modélisation des procédés de croissance de SiC en phase gazeuse (PVT) et en phase liquide (TSSG)
Publié le 20 mars 2015
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Soutenance
11 mai 2015
Monday at 13:30 am - Amphi M01 Grenoble INP - Phelma Minatec, Ground floor
Grenoble INP - Phelma
3 parvis Louis Néel - 38000 Grenoble
Accès : TRAM B arrêt Cité internationale
Free entrance - No registration
Mots-clés: Carbure de silicium, Modélisation, cristallogenèse, PVT, TSSG
Keywords : Silicon carbide, modeling, crystal growth, PVT, TSSG
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mise à jour le 6 avril 2015