Soutenance HDR - 19/05/2016 - Vincent CONSONNI

Vincent Consonni

Université Grenoble Alpes, CNRS, Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique, 38016 Grenoble, France

Abstract

Les nanofils semiconducteurs à base de GaN et ZnO ont connu lors de la dernière décennie un intérêt croissant en lien avec leur facilité à croître de manière auto-induite et leurs propriétés remarquables qui en font des briques élémentaires potentielles pour une grande variété d’applications. Dans cet exposé, les mécanismes de nucléation et de croissance de ces nanofils élaborés suivant des techniques de croissance en phase vapeur et en solution seront présentés en vue du contrôle ultime de leurs dimensions et de leurs propriétés physiques. Quelques exemples d’hétérostructures et d’applications potentielles essentiellement dans les domaines de l’optoélectronique et du photovoltaïque seront en outre discutés.

Membres du jury

Daniel Lincot, DR CNRS, IRDEP, Chatou.

Jean-Christophe Harmand, DR CNRS, LPN, Marcoussis.

Henri Mariette, DR CNRS, Institut Néel, Grenoble.

Pierre Galtier, PR Université de Versailles, GEMaC, Versailles.

Bruno Masenelli, PR INSA Lyon, INL, Lyon.

David Grosso, PR Université d’Aix-Marseille, IM2NP, Marseille.