Le dépôt de couches atomiques en phase vapeur (ALD) ainsi que sa variante spatiale (SALD) permettent le recouvrement uniforme de toute géométrie par un matériau en couche mince dont l’épaisseur est contrôlée à l’échelle atomique, menant à des applications en nanotechnologie, en microélectronique, et en optoélectronique. Ces techniques emploient souvent des composés pyrophoriques, dont la réaction violente au contact de l’air complexifie le transport et l’exploitation. Cependant, la vitesse de dépôt intrinsèquement plus haute en SALD pourrait permet l’étude d’alternatives moins dangereuses, plus efficaces et/ou plus écologiques sans compromettre la productivité par rapport à un procédé ALD utilisant un précurseur pyrophorique. Dans cette optique, le Zn(DMP)₂ et le Ga(DMP)Me₂ sont étudiés comme précurseurs non-pyrophoriques pour le dépôt d’oxydes contenant du zinc et du gallium, tandis qu’un modèle fondamental généralisé est proposé pour la SALD et comparé à des simulations numériques.

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