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Résumé

Avec le développement rapide des technologies de l'information, le besoin d'une nouvelle génération de périphériques de stockage avec une capacité de stockage plus élevée, une vitesse de fonctionnement plus rapide et une consommation d'énergie plus basse se fait sentir. Des mémoires non volatiles basées sur la commutation résistive ont émergé parmi les candidats prometteurs, parmi lesquels les manganites ont reçu une attention croissante. Dans cette thèse, nous nous concentrons sur le LaMnO_{3 + δ} (LMO), en tant que candidat potentiel pour les mémoires à changement de valence basées sur la commutation résistive. Les travaux présentés dans ce manuscrit couvrent: i) la croissance des couches minces de LMO par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques par injection pulsée, sous forme de couches épitaxiées et polycristallins; ii) l'étude des propriétés de transport de masse d'oxygène dans les couches épitaxiées; iii) la croissance polycristalline de LMO sur des substrats de silicium platinés en faisant un pas vers l'intégration C-MOS tout en contrôlant la stœchiométrie de l'oxygène de la couche; iv) la préparation de dispositifs métal/LMO/métal dans des salles blanches, ainsi que la conception et la fabrication de dispositifs compatibles avec la caractérisation avancée operando, et enfin v) la caractérisation électrique du prototype de mémoire TiN/LMO/Pt.