Synthèse MOCVD

Le dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseur métalorganiques ou MOCVD est une technique très versatile qui permet la synthèse de matériaux complexes avec contrôle de la stœchiométrie. La MOVCD présente de fortes vitesses de dépôt et est bien adaptée à la synthèse de matériaux avec un très haut degré de cristallinité.

Carmen Jiménez

Autres avantages de cette technique par rapport aux méthodes de dépôt physiques :
- un contrôle aisé de la composition
- la capacité à couvrir de grandes surfaces et des formes complexes.

Le mode injection pulsée est basé sur un brevet du LMGP "FR 93 08838 Procédé et dispositif d’introduction des précurseurs dans un enceinte de dépôt chimique en phase vapeur"

Types de composés

• oxydes fonctionnels,
• nitrures,
• fluorures,
• métaux.

Type de microstructure

• couches minces,
• nanofils / nanoparticules,
• hétérostructures (épitaxie)

 

Spécificités de la PI -MOCVD

• Dépôt à basse pression
• Compatible avec des précurseurs sensibles
• Adaptée aux précurseurs faiblement volatiles
• Contrôle précis du débit de précurseur utilisé.

 

Spécificités de l’AA-CVD

• Dépôt à pression atmosphérique
• Transport des précurseurs en phase liquide (aérosol)
• Adaptée aux précurseurs faiblement volatiles
• Compatible avec les procédés en ligne

• 5 Réacteurs MOCVD, mode injection pulsée, à basse pression et pour des substrats de 2 à 4 pouces. Chaque réacteur a des spécifications différentes : sa géométrie (porte-substrat horizontal, face up ou down, ou vertical), la température de réaction (200 - 800 ºC), ...
• 2 réacteurs MOCVD – mode aérosol
  
• 1 réacteur assisté UV, qui travaille en mode aérosol ou injection.
• 1 réacteur assisté plasma, qui travaille en mode aérosol ou injection.
• 1 réacteur MOCVD-ALD conçu pour réaliser des caractérisations avancées in-situ - Plus d'information