Roland Madar reconnu pour son activité sur le SiC
Remise du titre honorifique lors de la conférence ICSCRM à Sorrento
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Le comité de pilotage de la Conférence International sur le Carbure de Silicium (SiC) et matériaux associés (ICSCMR) qui a eu lieu à Sorrento en Septembre 2023 a souhaité reconnaître la contribution continue et exceptionnelle de Roland Madar tout le long de son activité scientifique dans ce domaine.
Roland Madar a demarré les études sur SiC au LMGP en 1992 sur l'incitation de Jean-Pierre Chante du Laboratoire Ampère à Lyon et de Schenider Electric à Grenoble. Il a été impliqué dans cette thématique jusqu'au son départ à la retraite en 2008.
Les premières études ont porté sur la cristallognèse de SiC par transport en phase vapeur à très haute température.
Ces travaux menés en collaboration avec Claude Bernard et Michel Pons du LTPCM (aujourd'hui SiMAP) ont permis de faire avancer la maîtrisse des procédés de croissance des cristaux. Cette activité a été reconnue au niveau international. Il faudrait aussi signaler la contribution de Didier Chaussende, Mikhail Anikin et Bernard Pelliser au LMGP et la collaboration avec la société NovaSiC.
Roland Madar a été à la base de la formation du groupement de recherche alternatif "SiC", en liason avec les équipes de Lyon, de Montpellier, du CEA-Grenoble et de ST Tours. Ces travaux ont été fortement soutenus par le Ministère de l'Industrie, de la DGA et la Commission Européen. Ils ont fait l'objet d'une quinzaine de thèse, d'une centaine de publications et des conférences invitées.
Voici une référence qui illustre ses connaissance sur ce sujet:
Madar, R. Silicon carbide in contention. Nature 430, 974–975 (2004). https://doi.org/10.1038/430974a
Roland Madar a demarré les études sur SiC au LMGP en 1992 sur l'incitation de Jean-Pierre Chante du Laboratoire Ampère à Lyon et de Schenider Electric à Grenoble. Il a été impliqué dans cette thématique jusqu'au son départ à la retraite en 2008.
Les premières études ont porté sur la cristallognèse de SiC par transport en phase vapeur à très haute température.
Ces travaux menés en collaboration avec Claude Bernard et Michel Pons du LTPCM (aujourd'hui SiMAP) ont permis de faire avancer la maîtrisse des procédés de croissance des cristaux. Cette activité a été reconnue au niveau international. Il faudrait aussi signaler la contribution de Didier Chaussende, Mikhail Anikin et Bernard Pelliser au LMGP et la collaboration avec la société NovaSiC.
Roland Madar a été à la base de la formation du groupement de recherche alternatif "SiC", en liason avec les équipes de Lyon, de Montpellier, du CEA-Grenoble et de ST Tours. Ces travaux ont été fortement soutenus par le Ministère de l'Industrie, de la DGA et la Commission Européen. Ils ont fait l'objet d'une quinzaine de thèse, d'une centaine de publications et des conférences invitées.
Voici une référence qui illustre ses connaissance sur ce sujet:
Madar, R. Silicon carbide in contention. Nature 430, 974–975 (2004). https://doi.org/10.1038/430974a