Une alternative innovante et prometteuse pour l’électronique du futur est l’intégration de nanonets d’oxyde métallique semi-conducteurs dans les dispositifs.
L'oxyde de zinc possède des propriétés piézoélectriques qui s'améliorent considérablement lorsqu'il entre dans les nano-dimensions. Cette thèse présente pour la première fois les caractéristiques piézoélectriques d'un réseau de nanofils semi-conducteurs (NN) 2D orientés aléatoirement.
La synthèse de nanofils de ZnO de diamètres variables (20 à 300 nm) a été réalisée à l'aide d'une méthode hydrothermale. Les nanofils ont ensuite été utilisés pour la formation de nanonets. Dans un deuxième temps, des les nanonets à base de nanofils de 20nm de diamètre ont été choisis pour la fabrication de résistances flexibles en raison de leurs caractéristiques piézoélectriques exacerbées.
es résistances flexibles ont été exposées à diverses amplitudes de contrainte pour étudier l'évolution des caractéristiques fonctionnelles des nanoréseaux semi-conducteurs. La modification du comportement de réseau et de la morphologie de ces nanonets semi-conducteurs a été étudiée respectivement par DRX in situ et MEB in situ sous exposition à une déformation dynamique d'amplitude croissante.
Finalement, des études ont été menées pour déterminer l'évolution du comportement électrique des dispositifs lors de l'application de contraintes statiques et dynamiques sous diverses orientations et amplitudes de déformation. Enfin, la combinaison des observations morphologiques du réseau avec des mesures électriques sous contrainte nous permettra de mieux comprendre le comportement piézoélectrique des dispositifs basés sur des nanonets de ZnO.