LMGP Seminar : Dr. S. Brochen - Electrical properties of ZnO and GaN materials

Dans le cadre de cet exposé, nous étudierons le dopage de deux semiconducteurs très attractifs, notamment pour les applications en optoélectronique, que sont l’oxyde de zinc (ZnO) et le nitrure de gallium (GaN). A partir de résultats expérimentaux de transport électrique de type effet Hall et résistivité, ainsi que de mesures capacitives de type capacité-tension C(V), nous étudierons certaines des propriétés électriques de ces deux matériaux.

Ainsi, à partir de modélisations détaillées de la densité de porteurs libres et de leur mobilité en fonction de la température, nous aborderons successivement l’effet de la présence de plusieurs niveaux d’impuretés[1] et de la nature de ces niveaux[2], sur les mécanismes de transport électrique. Nous verrons ensuite quelques résultats sur le dopage résiduel et intentionnel de type n de couches minces de ZnO déposées par épitaxie d’organo-métalliques en phase vapeur (MOVPE)[3]. Enfin nous illustrerons l’influence de la concentration de dopant sur l’énergie d’ionisation de celui-ci, dans le cas d’échantillons de ZnO et de GaN de type n, ainsi que d’échantillons de GaN:Mg de type p[4].