Le dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseur métalorganiques ou MOCVD est une technique très versatile qui permet la synthèse de matériaux complexes avec contrôle de la stœchiométrie. La MOVCD présente de fortes vitesses de dépôt et est bien adaptée à la synthèse de matériaux avec un très haut degré de cristallinité.
Autres avantages de cette technique par rapport aux méthodes de dépôt physiques :
- contrôle aisé de la composition
- capacité à recouvrir des formes complexes et des grandes surfaces.
Types de composés
- oxydes fonctionnels,
- nitrures,
- fluorures
- métaux.
Type de microstructure
- couches minces
- nanofils / nanoparticules
- hétérostructures (épitaxie)
Le LMGP d’une réputation internationale dans le domaine de la MOCVD par injection liquide pulsée (PI-MOCVD) et par assistance d’aérosol (AA-CVD).
Spécificités de la PI -MOCVD
- Dépôt à basse pression
- Compatible avec des précurseurs sensibles
- Adaptée aux précurseurs faiblement volatiles.
- Contrôle précis du débit de précurseur utilisé
Spécificités de l’AA-CVD
- Dépôt à pression atmosphérique
- Transport des précurseurs en phase liquide (aérosol)
- Adaptée aux précurseurs faiblement volatiles.
- Compatible avec les procédés en ligne
Equipement au laboratoire LMGP
- 5 Réacteurs MOCVD, mode injection pulsée, à basse pression et pour des substrats de 2 à 4 pouces. Chacun des réacteurs a des spécifications différentes : géométrie du réacteur (porte-substrat horizontal, face up ou down, ou vertical), température de réaction (200 - 800 ºC)
| Le mode injection pulsée est basé sur le brevet du LMGP « FR 93 08838 Procédé et dispositif d’introduction des précurseurs dans un enceinte de dépôt chimique en phase vapeur ». |
- 2 réacteurs MOCVD – mode aérosol
- 1 réacteur assisté UV, qui travaille en mode aérosol ou injection.
- 1 réacteur assisté plasma, qui travaille en mode aérosol ou injection.
- 1 réacteur MOCVD-ALD conçu pour réaliser des caractérisations avancées in (lien vers MOON)