Keywords/Mots-clés:
Semiconducteur, absorbeur ultra mince, ZnO, Sb2S3, cristallisation, bain chimique, pyrolyse, SILAR, photovoltaïque/Semiconductor, extremely thin absorber, ZnO, Sb2S3, crystallization, CBD, spray, SILAR, photovoltaic
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Résumé / Abtract :
L'énergie solaire représente un énorme potentiel pour la production d'électricité. Les recherches dans ce domaine se sont donc accélérées au cours des dernières années; en particulier le développement de matériaux semiconducteurs non-toxiques pouvant être élaborés par une technique bas coût et facile de mise en oeuvre telle que les croissances en chimie liquide. C'est dans ce contexte que l'oxyde de zinc (ZnO) prend une place de plus en plus importante au sein des laboratoires de recherche. Cette thèse, financée par le Labex CEMAM, a été effectuée dans plusieurs buts. Le premier était d'améliorer notre compréhension des mécanismes mis en jeu lors de la croissance de nanofils de ZnO par dépôt en bain chimique, et notamment le rôle des précurseurs chimiques introduits dans le bain. Par la suite, des études morphologiques et du recuit de cristallisation de couches minces de TiO2 et de Sb2S3 déposées sous forme de coquilles sur les nanofils de ZnO par ALD, SILAR et pyrolyse d'aérosol se sont révélées primordiales pour l'élaboration de cellules solaires composées d'hétérostructures à base de nanofils de ZnO/TiO2/Sb2S3. Dans ce type de cellule, le ZnO joue le rôle de conducteur d'électrons alors que le TiO2 passive les états de surface des nanofils de ZnO et les protège d’un environnement corrosif. Le Sb2S3, quant à lui,absorbe les photons du spectre solaire et produit des excitons pour la création de photo-courant. Ces hétérostructures ont été développées et élaborées pour la toute première fois. Un rendement de photoconversion de 2,3% a été déterminé. Cette valeur est encourageante pour la suite des études et représente le premier rendement efficace pour ce type d'hétérostructures très prometteuses.
Membres du jury/Jury members :
3 parvis Louis Néel - 38000 Grenoble
Accès : TRAM B arrêt Cité internationale