Seminar Christophe VALLEE 02.06.2026

Le dépôt sélectif par zone (ASD) : de la substitution de la lithographie à son amélioration

Le dépôt sélectif par zone (ASD) : de la substitution de la lithographie à son amélioration

 

VALLEE Christophe VALLée

Professor of Physics

College of Nanotechnology, Science, and Engineering (CNSE)

University at Albany - SUNY

257 Fuller Road, Albany, NY, 12203

email: cvallee@albany.edu


 

Abstract

Dans cet exposé, nous allons présenter le dépôt sélectif par zone (Area Selective Deposition) et illustrer le fait que ce procédé, initialement développé pour supprimer des étapes de lithographie, peut être aussi utilisé pour améliorer ces étapes.

Dans un premier temps, nous introduirons les différentes façons de faire un dépôt sélectif par zone, puis nous donnerons quelques exemples d’application. Ensuite, nous discuterons des interactions entre ce procédé et des matériaux polymères afin de démontrer que les polymères peuvent être utilisés comme inhibiteurs dans un procédé ASD. De plus, nous montrerons que le procédé ASD peut aussi être réalisé directement sur des polymères, pour améliorer certaines de leurs propriétés telles que leur rugosité de surface et leur résistance à la gravure plasma. Nous finirons en donnant un exemple de dépôt sélectif « vertical » combinant à la fois une gravure sélective du polymère par effet catalytique et un dépôt sélectif par zone.


Short Bio/CV

Christophe Vallée est professeur à l’Université Grenoble Alpes jusqu’en 2020, spécialisé dans les procédés plasma. Il a mené ses recherches au Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM) – Polytech Grenoble, ainsi qu'en tant que professeur invité à l'Université de Tsukuba au Japon (2016–2020). En 2020, il y a été nommé premier «TEL Innovation Scientist», soutenu par une dotation de 2,3 millions de dollars pour le développement de technologies avancées au service de l'industrie des semi-conducteurs. Depuis 2022, il est professeur permanent au CNSE de l'Université d'Albany (État de New York). Ses recherches portent sur la gravure plasma, le dépôt plasma et les procédés à l'échelle atomique (ALD, ALE), appliqués à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.



Location infos
15h00 - Amphi Z108