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Synthèse et propriétés de monocristaux, de poudres, films minces ou hétérostructures

Etudes à l'interface avec la matière biologique

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Soutenance de thèse de Raquel RODRIGUEZ LAMAS

Publié le 22 octobre 2020
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Soutenance 26 novembre 2020
14h00 - Salle des Conseils Z-704, 7ème étage, Bâtiment Z (Grenoble INP Phelma building)
Grenoble INP - Phelma
3 parvis Louis Néel - 38000 Grenoble
Accès : TRAM B arrêt Cité internationale
Free entrance - No registration

Commutation résistive dans des hétérostructures à base de LaMnO3+? pour des mémoires à changement de valence

RODRIGUEZ LAMAS Raquel

RODRIGUEZ LAMAS Raquel

Mots-clés:

ReRAM pérovskite manganite mémoires a changement de valence (VCM) commutation résistive

cliquer pour voir la liste des membres du jury/clic here for the jury members

 


Résumé

Avec le développement rapide des technologies de l'information, le besoin d'une nouvelle génération de périphériques de stockage avec une capacité de stockage plus élevée, une vitesse de fonctionnement plus rapide et une consommation d'énergie plus basse se fait sentir. Des mémoires non volatiles basées sur la commutation résistive ont émergé parmi les candidats prometteurs, parmi lesquels les manganites ont reçu une attention croissante. Dans cette thèse, nous nous concentrons sur le LaMnO3 + δ (LMO), en tant que candidat potentiel pour les mémoires à changement de valence basées sur la commutation résistive. Les travaux présentés dans ce manuscrit couvrent: i) la croissance des couches minces de LMO par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques par injection pulsée, sous forme de couches épitaxiées et polycristallins; ii) l'étude des propriétés de transport de masse d'oxygène dans les couches épitaxiées; iii) la croissance polycristalline de LMO sur des substrats de silicium platinés en faisant un pas vers l'intégration C-MOS tout en contrôlant la stœchiométrie de l'oxygène de la couche; iv) la préparation de dispositifs métal/LMO/métal dans des salles blanches, ainsi que la conception et la fabrication de dispositifs compatibles avec la caractérisation avancée operando, et enfin v) la caractérisation électrique du prototype de mémoire TiN/LMO/Pt.



Membres du jury/ Jury members :
 

Dr.

C.Pirovano

Unité de catalyse et chimie du solide (UCCS), Ecole nationale superieure de Chimie de Lille, Villeneuve d’Ascq (France)

Examiner

Prof.

A.Bsiesy

Laboratoire des technologies de la microelectronique (LTM), UGA, Grenoble (France)

Examiner

Prof.

A.Bartasyte

FEMTO-ST Instituta, Université de Franche-Comté, Besancon, (France)

Rapporteur

Prof.

T.Puig

Materials Science Institute of Barcelona (ICMAB-CSIC), Bellaterra, (Spain)

Dr.

M. Boudard

LMGP, CNRS, Grenoble INP Minatec, Grenoble (France)

Thesis Director


 
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mise à jour le 3 novembre 2020

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